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2026.03
实验室在富硼半导体高压光电性能研究中取得重要进展
实验室高压科学中心田永君院士团队与天津工业大学研究人员合作,发现富硼半导体材料AlCu1–δB25在高压下展现出反常的带隙增大和光电性能的协同提升,并理论解释了背后的物理机制,为极端条件下的光电器件提供了全新的材料体系和设计思路。研究成果以“压缩富硼半导体中光电性能的大幅增强”为题(Giant enhancement of optoelectronic properties in compressed boron-rich semiconductors)于2026年1月27日在线发表于《国家科...