报告题目：基于二维材料的高性能电子器件及电路
报告人：吴燕庆研究员，博士生导师，北京大学
时间：2019年7月3日(星期三)下午16：00
地点：材料馆A323
报告人简介:
吴燕庆，北京大学研究员，博士生导师。2005年，2009年分别在复旦大学，美国普渡大学获得本科及博士学位。博士毕业后曾在IBM沃森研究中心担任研究员。围绕后摩尔新材料电子器件与电路开展了多项原创性工作。以第一作者或通讯作者在包括Nature，Nature Nanotechnology, Nature Communications,Science Advances等顶级国际学术期刊与IEDM在内的国际会议上发表论文50余篇。论文总他引次数超过5500余次，h因子31。在新型微纳电子逻辑器件，射频器件及异质结等领域方面多次取得了国际领先的成果。应邀在多个国际会议上作邀请报告。
报告摘要
超薄二维材料体系具有丰富的能带结构与优异的电学特性,可用来实现高性能逻辑、射频与存储器件。其超薄体特性可在超短沟器件中有效抑制短沟道效应。基于二维材料体系的垂直范德华异质结可突破传统体材料异质结的结构限制，实现超越传统器件的功能，并大幅提升性能。纳米尺寸的短沟道器件以及与硅基工艺相兼容的二硫化钼晶体管具有优异的输出特性,其输出电流可超过1mA/mm。基于大面积生长工艺的双层二硫化钼射频晶体管的最大振荡频率峰值可达到23 GHz，基于柔性衬底的混频器也可工作在GHz频段。基于面内各向异性最佳输运方向，沟长为100nm的黑磷晶体管室温驱动电流达到1.2mA/mm，20K时进一步提高到1.6mA/mm。室温下其弹道输运效率达到36%，在低温20K时提高到79.4%。基于上述两种二维材料的范德华异质结可实现电压可调的可重构多值逻辑，并且在超浅垂直异质结中可实现超高整流比与开关比。因此基于范德华异质结的量子隧穿器件具有优异的特性和极大的潜力，在未来后摩尔时代可提供具有应用潜力的高性能多功能的电子器件。
