报告题目：金属硫属二维材料的气相控制合成与光探测性能
报告人：翟天佑教授
华中科技大学
时间：2018年11月19日（星期一）9:30
地点：材料馆A323
个人简介：
翟天佑，华中科技大学教授，材料成形与模具技术国家重点实验室副主任，国家杰出青年基金获得者 (2018年)，国家优秀青年基金获得者(2013年)，曾获国家自然科学二等奖（5/5, 2014年），中国化学会青年化学奖 (2014年)，全球高被引科学家 (2015/2018年)和英国皇家化学会会士(2017年)。2003年本科毕业于郑州大学化学系，2008年博士毕业于中国科学院化学研究所，师从姚建年院士。2008-2012年在日本物质材料研究机构先后任JSPS博士后(合作导师Yoshio Bando教授)和ICYS研究员(Tenure-trackResearcher)。主要从事无机材料合成化学与微纳光电器件方面的研究，以第一作者或通讯作者身份在Chem. Soc.Rev. (2), Prog. Mater. Sci. (2), Angew. Chem. Int. Ed. (2), Adv. Mater. (18),Adv. Funct. Mater. (22)，Nat.Commun. (1)等期刊上发表论文153篇(66篇IF>10，117篇IF>5)，所有论文SCI期刊引用10100余次，H因子54。主持编纂英文专著1本，受邀撰写两本专著中的5章；申请中国和日本专利15项，授权5项；先后主持基金委优青、面上、重大研究计划培育、杰青等项目，参与基金委仪器项目和科技部青年973项目等；先后担任Science Bulletin和 Frontiers in Chemistry副主编，《科学通报》和《无机材料学报》编委。担任中国化学会青年化学工作委员会委员，中国材料研究学会青年委员会理事和纳米材料与器件分会理事，中国电子学会半导体科技青年专委会委员，中国金属学会材料科学分会第七届委员会委员等。
报告摘要：
金属硫族二维材料具有独特的结构、丰富的种类、优异的物理化学性质，以及能够满足光电器件集成化、柔性化、高性能以及低功耗的发展目标，已经成为国际前沿科学研究的焦点。要实现金属硫族二维材料在光电信息功能器件领域的实际应用，就必须解决目前高质量材料制备困难、器件性能优势不突出等问题，而如何发展稳定、可控的材料制备方法实现高质量材料的制备以及提升光电器件性能就成为该领域的重要挑战。我们主要从事无机材料合成化学及其微纳光电器件研究，在金属硫属化合物的可控制备与光探测性能调控方面取得代表性成果：1）发展了近稳态供源和限域空间生长方法，实现了若干高质量金属硫属二维材料（SnSe2，ReSe2等）及其异质结的气相沉积生长的可控制备；2）发展了缺陷抑制和能带调控策略，实现了金属硫属二维材料光探测性能的显著提升。
欢迎感兴趣的老师和同学参加！
亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
2018年11月15日
