报告题目：可编程非易失性pn结存储器：一种新型的半导体元器件
报 告 人：张增星副教授，同济大学
时 间：2018年6月29日（星期五）上午10:00
地 点：材料馆A323
报告人简介:
张增星，同济大学物理科学与工程学院副教授、博士生导师、上海市“浦江人才”。2007年毕业于中科院物理研究所，获凝聚态物理博士学位。先后在美国University of New Orleans, Rice University,University of Utah进行博士后研究。现主要从事二维晶体新型纳米器件的设计制备与性能研究，近年来以第一作者、通讯作者在NatureNanotechnology， Nano Letters等上发表论文多篇，相关成果获评JEST 2017年度“中国电子科技十大进展”等。
内容摘要：
社会发展与科技进步对信息器件提出了越来越高的要求，以硅基电子学为基础的集成电路正受到越来越多的挑战，因此，发展新材料、探索新物性并就此设计制备新原理器件成为该领域研究的前沿方向。近年来，二维晶体研究的不断发展为实现该领域的突破性进展提供了可能。基于双极性二维晶体的物理特性，我们提出了一种半浮栅场效应晶体管（SFG-FET）结构，通过利用局域电场控制其中的载流子浓度和类型分布，制备出一种新型可编程非易失性pn结存储器：通过外电场的控制，使得该器件在pn结与非pn结之间逻辑变化，并且具有存储功能。基于pn结与非pn结不同的整流与光电转换性能，提出了逻辑整流器、整流存储器、场效应光电子晶体管，非易失性光电子存储器等新型器件概念。相关器件有望产生新的应用，如为硅基光子集成提供一个可能的新途径等。
参考文献：
D. Li, Z. Zhang*, et al. Nature Nanotechnology 12, 901 (2017).
D. Li, Z. Zhang*, et al. Nano Letters 17, 6353 (2017).
D. Li, Z. Zhang*, et al. Small 13, 1603726 (2017).
D. Li, Z. Zhang*, et al. Adv. Funct. Mater. 25, 7360 (2015).
P. Zhang, Z. Zhang*, et al. Nanoscale 10, 3148 (2018).
